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　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予(yǔ鲁j是哪个城市 鲁j是哪个省的车牌号)通过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规鲁j是哪个城市 鲁j是哪个省的车牌号，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)鲁j是哪个城市 鲁j是哪个省的车牌号占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据(jù)东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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